TMR-sensormagneet

Enige introductie van TMR-sensor:

TMR-sensor is een baanbrekende magnetoweerstandseffectsensor die de afgelopen jaren in industriële toepassingen is toegepast. TMR-sensor heeft een veel hogere weerstandsveranderingssnelheid in vergelijking met AMR- en GMR-sensoren, waardoor vele voordelen zijn verkregen, waaronder lage kosten en stroomverbruik, hoge responsfrequentie en gevoeligheid. Hongyu heeft ook enige ervaring opgedaan met TMR-sensormagneten vanwege het wijdverbreide gebruik van de TMR-sensor.

Wat is het Tunneling Magnetoweerstandseffect?

De sandwichstructuur gemaakt door twee ferromagnetische lagen en een isolerende laag kan magnetische tunnelovergangen (MTJ's) worden genoemd. Tunneling-magnetoweerstand van MTJ's zal worden gewijzigd wanneer de relatieve oriëntatie van het magnetische moment van twee ferromagnetische lagen wordt gewijzigd, en dit fenomeen staat bekend als tunneling-magetoweerstand (TMR) -effect. De structuur van de TMR- en GMR-component is in principe hetzelfde, en de stroomrichting van de TMR- en GMR-component is respectievelijk loodrecht en evenwijdig aan de laag.

De magnetisatierichting van de vastgezette laag is vast en de magnetisatierichting van de vrije laag kan worden aangepast aan het externe magnetische veld, daarom zal de elektrische weerstand van de TMR-component ook veranderen. TMR-component vertoont de minste weerstand zodra de magnetisatierichting van de vrije laag evenwijdig is aan het zand van de vastgezette laag en vervolgens een hoge stroomsterkte door de barrière. In plaats daarvan zal de weerstand aanzienlijk toenemen wanneer de magnetisatierichting antiparallel is, waardoor er weinig stroom door de barrière vloeit.

Over TMR-sensormagneet

Het Hongyu-team helpt klanten bij het kiezen van een geschikte TMR-sensor volgens de gedetailleerde technische specificaties en kijkt ernaar uit om samen te werken met relevante klanten.